Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin films
The excess of nonequilibrium charge carriers due to heating by electric fields influences substantially the electron heat-diffusion and the carrier current density in thin film semiconductors. With the assumption of hole and phonon thermal equilibrium, the current density for electrons and holes and...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2010
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57019192005 |
| Tagy: |
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!
|