Carrier heating effects on transport phenomena in intrinsic semiconductor thin films
The excess of nonequilibrium charge carriers due to heating by electric fields influences substantially the electron heat-diffusion and the carrier current density in thin film semiconductors. With the assumption of hole and phonon thermal equilibrium, the current density for electrons and holes and...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Revista Mexicana de Física |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2010
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57019192005 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|