Optical and Structural Properties of GaAs/GaInP Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy

In this work we investigated the optical and structural properties of GaAs/GaInP quantum wells (QW) grown byChemical Beam Epitaxy (CBE). The samples were characterized by photoluminescence (PL), photoluminescenceexcitation (PLE) and transmission electron microscopy (TEM). Simulations of the quantum...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Brazilian Journal of Physics
Main Authors: M. R. Martins, J. B. B. Oliveira, A. Tabata, J. Bettini, E. A. Meneses, M. M. G. Carvalho, E. Laureto
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Sociedade Brasileira de Física 2004
נושאים:
Física, Astronomía y Matemáticas
גישה מקוונת:https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=46434421
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים