লোডিং...
Role of dislocations in nitride laser diodes with different indium content
In this work we investigate the role of threading dislocations in nitride light emitters with different indium composition. We compare the properties of laser diodes grown on the low defect density GaN substrate with their counterparts grown on sapphire substrate in the same epitaxial process. All s...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sci Rep |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group UK
2021
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7794241/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33420146 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-79528-z |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|