تحميل...
Light Trapping Induced High Short-Circuit Current Density in III-Nitride Nanorods/Si (111) Heterojunction Solar Cells
An effective-area photovoltaic efficiency of 1.27% in power conversion, excluding the grid metal contact area and under 1 sun, AM 1.5G conditions, has been obtained for the p-GaN/i-InGaN/n-GaN diode arrays epitaxially grown on (111)-Si. The short-circuit current density is 14.96 mA/cm(2) and the ope...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7441121/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32816117 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-020-03392-z |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|