Đang tải...
Dewetting behavior of Ge layers on SiO(2) under annealing
The solid-state dewetting phenomenon in Ge layers on SiO(2) is investigated as a function of layer thickness d(Ge) (from 10 to 86 nm) and annealing temperature. The dewetting is initiated at about 580–700 °C, depending on d(Ge), through the appearance of surface undulation leading to the particle fo...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7426840/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32792554 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-70723-6 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|