Ładuje się......

Memtransistors Based on Nanopatterned Graphene Ferroelectric Field-Effect Transistors

The ultimate memristor, which acts as resistive memory and an artificial neural synapse, is made from a single atomic layer. In this manuscript, we present experimental evidence of the memristive properties of a nanopatterned ferroelectric graphene field-effect transistor (FET). The graphene FET has...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Nanomaterials (Basel)
Główni autorzy: Dragoman, Mircea, Dinescu, Adrian, Nastase, Florin, Dragoman, Daniela
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI 2020
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7408462/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32707647
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano10071404
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!