লোডিং...
Biomaterial-Induced Stable Resistive Switching Mechanism in TiO(2) Thin Films: The Role of Active Interstitial Sites/Ions in Minimum Current Leakage and Superior Bioactivity
[Image: see text] Leakage of current in oxide layers is the main issue for higher speed and denser resistive random-access memory. Defect engineering played a substantial role in meeting this challenge by doping or producing controlled interstitial defects or active sites. These controlled active si...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | ACS Omega |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
American Chemical Society
2020
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7408193/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32775907 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsomega.0c02410 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|