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Electrical Re-Writable Non-Volatile Memory Device Based on PEDOT:PSS Thin Film

In this research, we investigate the memory behavior of poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) cross bar structure memory cells. We demonstrate that Al/PEDOT:PSS/Al cells fabricated elements exhibit a bipolar switching and reproducible behavior via current–voltage, endura...

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Dettagli Bibliografici
Pubblicato in:Micromachines (Basel)
Autori principali: Salaoru, Iulia, Pantelidis, Christos Christodoulos
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: MDPI 2020
Soggetti:
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7074640/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32050693
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11020182
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