טוען...
Electrical Re-Writable Non-Volatile Memory Device Based on PEDOT:PSS Thin Film
In this research, we investigate the memory behavior of poly(3,4 ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) cross bar structure memory cells. We demonstrate that Al/PEDOT:PSS/Al cells fabricated elements exhibit a bipolar switching and reproducible behavior via current–voltage, endura...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2020
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7074640/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32050693 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11020182 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|