تحميل...
Controlling the layer localization of gapless states in bilayer graphene with a gate voltage
Experiments in gated bilayer graphene with stacking domain walls present topological gapless states protected by no-valley mixing. Here we research these states under gate voltages using atomistic models, which allow us to elucidate their origin. We find that the gate potential controls the layer lo...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | 2d Mater |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7047727/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32117572 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/aaa490 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|