Ultrathin perpendicular magnetic anisotropy CoFeB free layers for highly efficient, high speed writing in spin-transfer-torque magnetic random access memory

Perpendicular magnetic anisotropy (PMA) ferromagnetic CoFeB with dual MgO interfaces is an attractive material system for realizing magnetic memory applications that require highly efficient, high speed current-induced magnetic switching. Using this structure, a sub-nanometer CoFeB layer has the pot...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Τόπος έκδοσης:Sci Rep
Κύριοι συγγραφείς: Iwata-Harms, Jodi M., Jan, Guenole, Serrano-Guisan, Santiago, Thomas, Luc, Liu, Huanlong, Zhu, Jian, Lee, Yuan-Jen, Le, Son, Tong, Ru-Ying, Patel, Sahil, Sundar, Vignesh, Shen, Dongna, Yang, Yi, He, Renren, Haq, Jesmin, Teng, Zhongjian, Lam, Vinh, Liu, Paul, Wang, Yu-Jen, Zhong, Tom, Fukuzawa, Hideaki, Wang, Po-Kang
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: Nature Publishing Group UK 2019
Θέματα:
Article
Διαθέσιμο Online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6923472/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31857596
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-54466-7
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια