Загрузка...
Deterministic placement of ultra-bright near-infrared color centers in arrays of silicon carbide micropillars
We report the enhancement of the optical emission between 850 and 1400 nm of an ensemble of silicon mono-vacancies (V(Si)), silicon and carbon divacancies (V(C)V(Si)), and nitrogen vacancies (N(C)V(Si)) in an n-type 4H-SiC array of micropillars. The micropillars have a length of ca. 4.5 μm and a dia...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Beilstein J Nanotechnol |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Beilstein-Institut
2019
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6902882/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31886115 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3762/bjnano.10.229 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|