Composition dependent structural phase transition and optical band gap tuning in InSe thin films

Bulk alloys of In(x)Se(100-x) (x = 5, 10, 20, 30, 40 and 50) are prepared using melt quenching technique. Thin films having thickness ~750 nm of these prepared bulk alloys are fabricated using thermal evaporation technique on glass substrate. The as-deposited In(x)Se(100-x) thin films with x ≤ 40 ar...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Heliyon
Những tác giả chính: Singh, Harpreet, Singh, Palwinder, Singh, Randhir, Sharma, Jeewan, Singh, A.P., Kumar, Akshay, Thakur, Anup
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Elsevier 2019
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6895580/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31844773
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1016/j.heliyon.2019.e02933
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự