Đang tải...
Three-Dimensional (3D) Vertical Resistive Random-Access Memory (VRRAM) Synapses for Neural Network Systems
Memristor devices are generally suitable for incorporation in neuromorphic systems as synapses because they can be integrated into crossbar array circuits with high area efficiency. In the case of a two-dimensional (2D) crossbar array, however, the size of the array is proportional to the neural net...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2019
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6829311/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31652510 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12203451 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|