Đang tải...
Synthesis, Characterization and Fabrication of Graphene/Boron Nitride Nanosheets Heterostructure Tunneling Devices
Various types of 2D/2D prototype devices based on graphene (G) and boron nitride nanosheets (BNNS) were fabricated to study the charge tunneling phenomenon pertinent to vertical transistors for digital and high frequency electronics. Specifically, G/BNNS/metal, G/SiO(2), and G/BNNS/SiO(2) heterostru...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2019
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6669619/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31252619 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano9070925 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|