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Extremely large magnetoresistance in few-layer graphene/boron–nitride heterostructures

Understanding magnetoresistance, the change in electrical resistance under an external magnetic field, at the atomic level is of great interest both fundamentally and technologically. Graphene and other two-dimensional layered materials provide an unprecedented opportunity to explore magnetoresistan...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Nat Commun
Main Authors: Gopinadhan, Kalon, Shin, Young Jun, Jalil, Rashid, Venkatesan, Thirumalai, Geim, Andre K., Neto, Antonio H. Castro, Yang, Hyunsoo
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Pub. Group 2015
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4595716/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26388149
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms9337
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