Van der Waals negative capacitance transistors

The Boltzmann distribution of electrons sets a fundamental barrier to lowering energy consumption in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Negative capacitance FET (NC-FET), as an emerging FET architecture, is promising to overcome this thermionic limit and build ultra-low-po...

Description complète

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Publié dans:Nat Commun
Auteurs principaux: Wang, Xiaowei, Yu, Peng, Lei, Zhendong, Zhu, Chao, Cao, Xun, Liu, Fucai, You, Lu, Zeng, Qingsheng, Deng, Ya, Zhou, Jiadong, Fu, Qundong, Wang, Junling, Huang, Yizhong, Liu, Zheng
Format: Artigo
Langue:Inglês
Publié: Nature Publishing Group UK 2019
Sujets:
Article
Accès en ligne:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6620276/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31292435
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-019-10738-4
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Documents similaires