লোডিং...
Widely tunable GaAs bandgap via strain engineering in core/shell nanowires with large lattice mismatch
The realisation of photonic devices for different energy ranges demands materials with different bandgaps, sometimes even within the same device. The optimal solution in terms of integration, device performance and device economics would be a simple material system with widely tunable bandgap and co...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nat Commun |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6595053/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31243278 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41467-019-10654-7 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|