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Long-term drift of Si-MOS quantum dots with intentional donor implants

Charge noise can be detrimental to the operation of quantum dot (QD) based semiconductor qubits. We study the low-frequency charge noise by charge offset drift measurements for Si-MOS devices with intentionally implanted donors near the QDs. We show that the MOS system exhibits non-equilibrium drift...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Sci Rep
Main Authors: Rudolph, M., Sarabi, B., Murray, R., Carroll, M. S., Zimmerman, Neil M.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group UK 2019
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6529408/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31114008
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-43995-w
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