লোডিং...
Developing Single Layer MOS Quantum Dots for Diagnostic Qubits
The design, fabrication and characterization of single metal gate layer, metal-oxide-semiconductor (MOS) quantum dot devices robust against dielectric breakdown are presented as prototypes for future diagnostic qubits. These devices were developed as a preliminary solution to a longer term goal of a...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | J Vac Sci Technol B Nanotechnol Microelectron |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
2021
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8269032/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/34249479 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1116/6.0000549 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|