Atomic Layer Deposited Hf(0.5)Zr(0.5)O(2)-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity

Artificial synapses are the fundamental of building a neuron network for neuromorphic computing to overcome the bottleneck of the von Neumann system. Based on a low-temperature atomic layer deposition process, a flexible electrical synapse was proposed and showed bipolar resistive switching characte...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Опубликовано в: :Nanoscale Res Lett
Главные авторы: Wang, Tian-Yu, Meng, Jia-Lin, He, Zhen-Yu, Chen, Lin, Zhu, Hao, Sun, Qing-Qing, Ding, Shi-Jin, Zhang, David Wei
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: Springer US 2019
Предметы:
Nano Express
Online-ссылка:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6420527/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30877593
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-2933-y
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы