Atomic Layer Deposited Hf(0.5)Zr(0.5)O(2)-based Flexible Memristor with Short/Long-Term Synaptic Plasticity

Artificial synapses are the fundamental of building a neuron network for neuromorphic computing to overcome the bottleneck of the von Neumann system. Based on a low-temperature atomic layer deposition process, a flexible electrical synapse was proposed and showed bipolar resistive switching characte...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nanoscale Res Lett
Main Authors: Wang, Tian-Yu, Meng, Jia-Lin, He, Zhen-Yu, Chen, Lin, Zhu, Hao, Sun, Qing-Qing, Ding, Shi-Jin, Zhang, David Wei
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US 2019
נושאים:
Nano Express
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6420527/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30877593
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-2933-y
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים