تحميل...
A Breakdown Enhanced AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with the T-Anode Position Deep into the Bottom Buffer Layer
In this paper, an AlGaN/GaN Schottky barrier diode (SBD) with the T-anode located deep into the bottom buffer layer in combination with field plates (TAI-BBF FPs SBD) is proposed. The electrical characteristics of the proposed structure and the conventional AlGaN/GaN SBD with gated edge termination...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6412306/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30691138 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi10020091 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|