Caricamento...

A cryogenic spin-torque memory element with precessional magnetization dynamics

We present a study of precessional magnetization switching in orthogonal spin-torque spin-valve devices at low temperatures. The samples consist of a spin-polarizing layer that is magnetized out-of-the film plane and an in-plane magnetized free and reference magnetic layer separated by non-magnetic...

Descrizione completa

Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Pubblicato in:Sci Rep
Autori principali: Rowlands, G. E., Ryan, C. A., Ye, L., Rehm, L., Pinna, D., Kent, A. D., Ohki, T. A.
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: Nature Publishing Group UK 2019
Soggetti:
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6349837/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30692580
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-37204-3
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !