Đang tải...
Theoretical Study on Carrier Mobility of Hydrogenated Graphene/Hexagonal Boron-Nitride Heterobilayer
Hydrogenated graphene (HG)/hexagonal boron nitride (h-BN) heterobilayer is an ideal structure for the high-performance field effect transistor. In this paper, the carrier mobilities of HG/h-BN heterobilayer are investigated based on the first-principles calculations by considering the influence of s...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6250606/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30467605 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2780-2 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|