Đang tải...
RF Sputtering, Post-Annealing Treatment and Characterizations of ZnO (002) Thin Films on 3C-SiC (111)/Si (111) Substrates
We report on the radio frequency (RF) sputtering of c-axis oriented ZnO thin films on top of epitaxial 3C-SiC-on-Si (111) substrates, which were then subjected to post-annealing treatment at 400, 600 and 800 °C. Grazing incident X-ray Diffraction (XRD) data show that the Full Width Half Maximum (FWH...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6190226/ https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi8050148 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|