Ładuje się......
Effect of Bilayer CeO(2−x)/ZnO and ZnO/CeO(2−x) Heterostructures and Electroforming Polarity on Switching Properties of Non-volatile Memory
Memory devices with bilayer CeO(2−x)/ZnO and ZnO/CeO(2−x) heterostructures sandwiched between Ti top and Pt bottom electrodes were fabricated by RF-magnetron sputtering at room temperature. N-type semiconductor materials were used in both device heterostructures, but interestingly, change in heteros...
Zapisane w:
| Wydane w: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer US
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6181829/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30311009 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2738-4 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|