Загрузка...
High-field modulated ion-selective field-effect-transistor (FET) sensors with sensitivity higher than the ideal Nernst sensitivity
Lead ion selective membrane (Pb-ISM) coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) was used to demonstrate a whole new methodology for ion-selective FET sensors, which can create ultra-high sensitivity (−36 mV/log [Pb(2+)]) surpassing the limit of ideal sensitivity (−29.58 mV/log [Pb(2+...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5974191/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29844607 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-26792-9 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|