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Steep switching devices for low power applications: negative differential capacitance/resistance field effect transistors

Simply including either single ferroelectric oxide layer or threshold selector, we can make conventional field effect transistor to have super steep switching characteristic, i.e., sub-60-mV/decade of subthreshold slope. One of the representative is negative capacitance FET (NCFET), in which a ferro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nano Converg
Hauptverfasser: Ko, Eunah, Shin, Jaemin, Shin, Changhwan
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: Springer Singapore 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5787217/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29399434
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s40580-018-0135-4
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