טוען...
Radiative recombination of confined electrons at the MgZnO/ZnO heterojunction interface
We investigate the optical signature of the interface in a single MgZnO/ZnO heterojunction, which exhibits two orders of magnitude lower resistivity and 10 times higher electron mobility compared with the MgZnO/Al(2)O(3) film grown under the same conditions. These impressive transport properties are...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Sci Rep |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5547142/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28784987 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-07568-z |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|