Radiative recombination of confined electrons at the MgZnO/ZnO heterojunction interface

We investigate the optical signature of the interface in a single MgZnO/ZnO heterojunction, which exhibits two orders of magnitude lower resistivity and 10 times higher electron mobility compared with the MgZnO/Al(2)O(3) film grown under the same conditions. These impressive transport properties are...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Choi, Sumin, Rogers, David J., Sandana, Eric V., Bove, Philippe, Teherani, Ferechteh H., Nenstiel, Christian, Hoffmann, Axel, McClintock, Ryan, Razeghi, Manijeh, Look, David, Gentle, Angus, Phillips, Matthew R., Ton-That, Cuong
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group UK 2017
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5547142/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28784987
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-07568-z
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự