Ładuje się......
Abrupt p-n junction using ionic gating at zero-bias in bilayer graphene
Graphene is a promising candidate for optoelectronic applications. In this report, a double gated bilayer graphene FET has been made using a combination of electrostatic and electrolytic gating in order to form an abrupt p-n junction. The presence of two Dirac peaks in the gating curve of the fabric...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5469745/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28611452 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-03264-0 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|