Unveiling the carrier transport mechanism in epitaxial graphene for forming wafer-scale, single-domain graphene

Graphene epitaxy on the Si face of a SiC wafer offers monolayer graphene with unique crystal orientation at the wafer-scale. However, due to carrier scattering near vicinal steps and excess bilayer stripes, the size of electrically uniform domains is limited to the width of the terraces extending up...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:Proc Natl Acad Sci U S A
প্রধান লেখক: Bae, Sang-Hoon, Zhou, Xiaodong, Kim, Seyoung, Lee, Yun Seog, Cruz, Samuel S., Kim, Yunjo, Hannon, James B., Yang, Yang, Sadana, Devendra K., Ross, Frances M., Park, Hongsik, Kim, Jeehwan
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: National Academy of Sciences 2017
বিষয়গুলি:
Physical Sciences
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5402461/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28373575
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.1620176114
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি