Enhanced resistive switching characteristics in Pt/BaTiO(3)/ITO structures through insertion of HfO(2):Al(2)O(3) (HAO) dielectric thin layer

An enhanced resistive switching (RS) effect is observed in Pt/BaTiO(3)(BTO)/ITO ferroelectric structures when a thin HfO(2):Al(2)O(3) (HAO) dielectric layer is inserted between Pt and BTO. The P-E hysteresis loops reveal the ferroelectric nature of both Pt/BTO/ITO and Pt/HAO/BTO/ITO structures. The...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Argitaratua izan da:Sci Rep
Egile Nagusiak: Silva, J. P. B., Faita, F. L., Kamakshi, K., Sekhar, K. C., Moreira, J. Agostinho, Almeida, A., Pereira, M., Pasa, A. A., Gomes, M. J. M.
Formatua: Artigo
Hizkuntza:Inglês
Argitaratua: Nature Publishing Group 2017
Gaiak:
Article
Sarrera elektronikoa:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5387719/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28397865
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep46350
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!

Antzeko izenburuak