تحميل...
Permanent Data Storage in ZnO Thin Films by Filamentary Resistive Switching
Resistive memories are considered the most promising candidates for the next generation of non-volatile memory; however, attention has so far been limited to rewritable memory features for applications in resistive random access memories (RRAM). In this article, we provide a new insight into the app...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | PLoS One |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Public Library of Science
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5167399/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27992513 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1371/journal.pone.0168515 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|