লোডিং...
Atomic Layering, Intermixing and Switching Mechanism in Ge-Sb-Te based Chalcogenide Superlattices
GeSbTe-based chalcogenide superlattice (CSLs) phase-change memories consist of GeSbTe layer blocks separated by van der Waals bonding gaps. Recent high resolution electron microscopy found two types of disorder in CSLs, a chemical disorder within individual layers, and SbTe bilayer stacking faults c...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sci Rep |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group
2016
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5112535/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27853289 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep37325 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|