تحميل...
Deep-submicron Graphene Field-Effect Transistors with State-of-Art f(max)
In order to conquer the short-channel effects that limit conventional ultra-scale semiconductor devices, two-dimensional materials, as an option of ultimate thin channels, receive wide attention. Graphene, in particular, bears great expectations because of its supreme carrier mobility and saturation...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5075922/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27775009 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep35717 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|