লোডিং...
Solution‐Processed Vertically Stacked Complementary Organic Circuits with Inkjet‐Printed Routing
The fabrication and measurements of solution‐processed vertically stacked complementary organic field‐effect transistors (FETs) with a high static noise margin (SNM) are reported. In the device structure, a bottom‐gate p‐type organic FET (PFET) is vertically integrated on a top‐gate n‐type organic F...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Adv Sci (Weinh) |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
John Wiley and Sons Inc.
2016
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5067658/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27812468 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1002/advs.201500439 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|