Europium Silicide – a Prospective Material for Contacts with Silicon

Metal-silicon junctions are crucial to the operation of semiconductor devices: aggressive scaling demands low-resistive metallic terminals to replace high-doped silicon in transistors. It suggests an efficient charge injection through a low Schottky barrier between a metal and Si. Tremendous efforts...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Averyanov, Dmitry V., Tokmachev, Andrey M., Karateeva, Christina G., Karateev, Igor A., Lobanovich, Eduard F., Prutskov, Grigory V., Parfenov, Oleg E., Taldenkov, Alexander N., Vasiliev, Alexander L., Storchak, Vyacheslav G.
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2016
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4876492/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27211700
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep25980
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים