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Pulsed laser deposited GeTe-rich GeTe-Sb(2)Te(3) thin films
Pulsed laser deposition technique was used for the fabrication of Ge-Te rich GeTe-Sb(2)Te(3) (Ge(6)Sb(2)Te(9), Ge(8)Sb(2)Te(11), Ge(10)Sb(2)Te(13), and Ge(12)Sb(2)Te(15)) amorphous thin films. To evaluate the influence of GeTe content in the deposited films on physico-chemical properties of the GST...
Enregistré dans:
| Publié dans: | Sci Rep |
|---|---|
| Auteurs principaux: | , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Langue: | Inglês |
| Publié: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4873812/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27199107 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep26552 |
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