تحميل...

Anomalous enhancement of the sheet carrier density beyond the classic limit on a SrTiO(3) surface

Electrostatic carrier accumulation on an insulating (100) surface of SrTiO(3) by fabricating a field effect transistor with Parylene-C (6 nm)/HfO(2) (20 nm) bilayer gate insulator has revealed a mystifying phenomenon: sheet carrier density [Image: see text] is about 10 times as large as [Image: see...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Sci Rep
المؤلفون الرئيسيون: Kumar, Neeraj, Kitoh, Ai, Inoue, Isao H.
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group 2016
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4865841/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27174141
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep25789
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!