Načítá se...
Large Optical Gain AlInN-Delta-GaN Quantum Well for Deep Ultraviolet Emitters
The optical gain and spontaneous emission characteristics of low In-content AlInN-delta-GaN quantum wells (QWs) are analyzed for deep ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) and lasers. Our analysis shows a large increase in the dominant transverse electric (TE) polarized spontaneous emission...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sci Rep |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4785363/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26961170 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep22983 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|