تحميل...
InGaN/Dilute-As GaNAs Interface Quantum Well for Red Emitters
The design of InGaN/dilute-As GaNAs interface quantum well (QW) leads to significant redshift in the transition wavelength with improvement in electron-hole wave function overlap and spontaneous emission rate as compared to that of the conventional In(0.2)Ga(0.8)N QW. By using self-consistent six-ba...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4725840/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26758552 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep19271 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|