Nanocathodoluminescence Reveals Mitigation of the Stark Shift in InGaN Quantum Wells by Si Doping

[Image: see text] Nanocathodoluminescence reveals the spectral properties of individual InGaN quantum wells in high efficiency light emitting diodes. We observe a variation in the emission wavelength of each quantum well, in correlation with the Si dopant concentration in the quantum barriers. This...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nano Lett
Main Authors: Griffiths, James T., Zhang, Siyuan, Rouet-Leduc, Bertrand, Fu, Wai Yuen, Bao, An, Zhu, Dandan, Wallis, David J., Howkins, Ashley, Boyd, Ian, Stowe, David, Kappers, Menno J., Humphreys, Colin J., Oliver, Rachel A.
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: American Chemical Society 2015
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4682848/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26488912
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b03531
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים