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Nanocathodoluminescence Reveals Mitigation of the Stark Shift in InGaN Quantum Wells by Si Doping
[Image: see text] Nanocathodoluminescence reveals the spectral properties of individual InGaN quantum wells in high efficiency light emitting diodes. We observe a variation in the emission wavelength of each quantum well, in correlation with the Si dopant concentration in the quantum barriers. This...
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| Pubblicato in: | Nano Lett |
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| Autori principali: | , , , , , , , , , , , , |
| Natura: | Artigo |
| Lingua: | Inglês |
| Pubblicazione: |
American Chemical Society
2015
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| Accesso online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4682848/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26488912 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b03531 |
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