Ładuje się......

Manipulation of magnetization switching and tunnel magnetoresistance via temperature and voltage control

Magnetization switching between parallel and antiparallel alignments of two magnetic layers in magnetic tunnel junctions (MTJs) is conventionally controlled either by an external magnetic field or by an electric current. Here, we report that the manipulation of magnetization switching and tunnel mag...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Liu, Houfang, Wang, Ran, Guo, Peng, Wen, Zhenchao, Feng, Jiafeng, Wei, Hongxiang, Han, Xiufeng, Ji, Yang, Zhang, Shufeng
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group 2015
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4677325/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26658213
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep18269
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!