טוען...
Grain boundary resistance to amorphization of nanocrystalline silicon carbide
Under the C displacement condition, we have used molecular dynamics simulation to examine the effects of grain boundaries (GBs) on the amorphization of nanocrystalline silicon carbide (nc-SiC) by point defect accumulation. The results show that the interstitials are preferentially absorbed and accum...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Sci Rep |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
Nature Publishing Group
2015
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4642319/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26558694 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep16602 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|