In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices

The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. The aggressive scaling of feature sizes, both on devices and interconnects, leads to serious challenges to ensure the required product reliability...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:J Vis Exp
المؤلفون الرئيسيون: Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Clausner, André, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Beyer, Armand, Hauschildt, Meike, Zschech, Ehrenfried
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MyJove Corporation 2015
الموضوعات:
Engineering
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4544509/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26167933
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3791/52447
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة