Ładuje się......

Carrier type inversion in quasi-free standing graphene: studies of local electronic and structural properties

We investigate the local surface potential and Raman characteristics of as-grown and ex-situ hydrogen intercalated quasi-free standing graphene on 4H-SiC(0001) grown by chemical vapor deposition. Upon intercalation, transport measurements reveal a change in the carrier type from n- to p-type, accomp...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Sci Rep
Główni autorzy: Melios, Christos, Panchal, Vishal, Giusca, Cristina E., Strupiński, Włodek, Silva, S. Ravi P., Kazakova, Olga
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Nature Publishing Group 2015
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4450755/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26030153
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10505
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!