Načítá se...
InAs/Si Hetero-Junction Nanotube Tunnel Transistors
Hetero-structure tunnel junctions in non-planar gate-all-around nanowire (GAA NW) tunnel FETs (TFETs) have shown significant enhancement in ‘ON’ state tunnel current over their all-silicon counterpart. Here we show the unique concept of nanotube TFET in a hetero-structure configuration that is capab...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sci Rep |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4413881/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25923104 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep09843 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|